GT50S101 - аналоги и описание IGBT

 

GT50S101 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: GT50S101

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS

Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для GT50S101

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT50S101 даташит

 ..1. Size:144K  toshiba
 gt50s101.pdf pdf_icon

GT50S101

 9.1. Size:185K  apt
 aptgt50sk120d1.pdf pdf_icon

GT50S101

APTGT50SK120D1 VCES = 1200V Buck chopper IC = 50A @ Tc = 80 C Trench IGBT Power Module Application 3 Q1 AC and DC motor control Switched Mode Power Supplies 4 Features 5 Trench + Field Stop IGBT Technology 1 - Low voltage drop - Low tail current - Switching frequency up to 20 kHz - Soft recovery parallel diodes - Low diode VF 2 - Low leakage

 9.2. Size:185K  apt
 aptgt50sk170d1.pdf pdf_icon

GT50S101

APTGT50SK170D1 VCES = 1700V Buck chopper IC = 50A @ Tc = 80 C Trench IGBT Power Module Application AC and DC motor control 3 Switched Mode Power Supplies Features Trench + Field Stop IGBT Technology - Low voltage drop 1 Q2 - Low tail current - Switching frequency up to 20 kHz 6 - Soft recovery parallel diodes - Low diode VF 7 - Low leakage cur

Другие IGBT... GT50G102 , GT50J101 , GT50J102 , GT50J301 , GT50J322 , GT50L101 , GT50M101 , GT50Q101 , IHW20N135R5 , GT50T101 , GT5G101 , GT5G102 , GT5G102LB , GT5G103 , GT5G103LB , GT60J101 , GT60M101 .

History: GT5G102 | GT60M102

 

 

 

 

↑ Back to Top
.