Справочник IGBT. GT50S101

 

GT50S101 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GT50S101
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для GT50S101

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT50S101 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  toshiba
 gt50s101.pdf pdf_icon

GT50S101

 9.1. Size:185K  apt
 aptgt50sk120d1.pdf pdf_icon

GT50S101

APTGT50SK120D1 VCES = 1200V Buck chopper IC = 50A @ Tc = 80C Trench IGBT Power Module Application 3Q1 AC and DC motor control Switched Mode Power Supplies 4Features 5 Trench + Field Stop IGBT Technology 1- Low voltage drop - Low tail current - Switching frequency up to 20 kHz - Soft recovery parallel diodes - Low diode VF 2- Low leakage

 9.2. Size:185K  apt
 aptgt50sk170d1.pdf pdf_icon

GT50S101

APTGT50SK170D1 VCES = 1700V Buck chopper IC = 50A @ Tc = 80C Trench IGBT Power Module Application AC and DC motor control 3 Switched Mode Power Supplies Features Trench + Field Stop IGBT Technology - Low voltage drop 1Q2- Low tail current - Switching frequency up to 20 kHz 6- Soft recovery parallel diodes - Low diode VF 7- Low leakage cur

Другие IGBT... GT50G102 , GT50J101 , GT50J102 , GT50J301 , GT50J322 , GT50L101 , GT50M101 , GT50Q101 , CRG60T60AN3H , GT50T101 , GT5G101 , GT5G102 , GT5G102LB , GT5G103 , GT5G103LB , GT60J101 , GT60M101 .

History: IRG4BC15UD-L

 

 
Back to Top

 


 
.