GT50T101 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT50T101
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1500 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 5.5(max) V @25℃
Encapsulados: TO264
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GT50T101 datasheet
rgt50ts65d.pdf
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vs-gt50tp60n.pdf
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