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IRGP4068D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRGP4068D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 330 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 96 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 245 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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Principales características: IRGP4068D

 ..1. Size:263K  international rectifier
 irgp4068d.pdf pdf_icon

IRGP4068D

 0.1. Size:248K  international rectifier
 irgp4068dpbf irgp4068d-epbf.pdf pdf_icon

IRGP4068D

 0.2. Size:326K  international rectifier
 irgp4068dpbf.pdf pdf_icon

IRGP4068D

PD - 97250 IRGP4068DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS IRGP4068D-EPbF Features Low VCE (ON) Trench IGBT Technology C VCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction temperature 175 C IC = 48A, TC = 100 C 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C

 0.3. Size:263K  international rectifier
 irgp4068d-e.pdf pdf_icon

IRGP4068D

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