IRGP4068D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRGP4068D
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 96 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 245 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 95 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IRGP4068D
IRGP4068D Datasheet (PDF)
irgp4068d.pdf

PD - 97250CIRGP4068DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODEFOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONSIRGP4068D-EPbFFeatures Low VCE (ON) Trench IGBT Technology CVCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction temperature 175 CIC = 48A, TC = 100C 5 S short circuit SOA Square RBSOAG tSC 5s, TJ(max) = 175C
irgp4068dpbf irgp4068d-epbf.pdf

PD - 97250CIRGP4068DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODEFOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONSIRGP4068D-EPbFFeatures Low VCE (ON) Trench IGBT Technology CVCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction temperature 175 CIC = 48A, TC = 100C 5 S short circuit SOA Square RBSOAG tSC 5s, TJ(max) = 175C
irgp4068dpbf.pdf

PD - 97250IRGP4068DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODEFOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONSIRGP4068D-EPbFFeatures Low VCE (ON) Trench IGBT Technology CVCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction temperature 175 CIC = 48A, TC = 100C 5 S short circuit SOA Square RBSOAG tSC 5s, TJ(max) = 175C
irgp4068d-e.pdf

PD - 97250CIRGP4068DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODEFOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONSIRGP4068D-EPbFFeatures Low VCE (ON) Trench IGBT Technology CVCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction temperature 175 CIC = 48A, TC = 100C 5 S short circuit SOA Square RBSOAG tSC 5s, TJ(max) = 175C
Другие IGBT... IRGP4050 , IRGP4062D , IRGP4063 , IRGP4063D , IRGP4066 , IRGP4066D , IRGP4066D-E , IRGP4066-E , GT60N321 , IRGP4068D-E , IRGP4069 , IRGP4069D , IRGP4072D , IRGP4086 , IRGP50B60PD , IRGP50B60PD1 , IRGP50B60PD1-EP .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389