IRGP4068D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRGP4068D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 96 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 245 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRGP4068D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGP4068D даташит

 ..1. Size:263K  international rectifier
 irgp4068d.pdf pdf_icon

IRGP4068D

 0.1. Size:248K  international rectifier
 irgp4068dpbf irgp4068d-epbf.pdf pdf_icon

IRGP4068D

 0.2. Size:326K  international rectifier
 irgp4068dpbf.pdf pdf_icon

IRGP4068D

PD - 97250 IRGP4068DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS IRGP4068D-EPbF Features Low VCE (ON) Trench IGBT Technology C VCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction temperature 175 C IC = 48A, TC = 100 C 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C

 0.3. Size:263K  international rectifier
 irgp4068d-e.pdf pdf_icon

IRGP4068D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRGP4050, IRGP4062D, IRGP4063, IRGP4063D, IRGP4066, IRGP4066D, IRGP4066D-E, IRGP4066-E, AUIRGPS4067D1, IRGP4068D-E, IRGP4069, IRGP4069D, IRGP4072D, IRGP4086, IRGP50B60PD, IRGP50B60PD1, IRGP50B60PD1-EP