Справочник IGBT. IRGP4068D

 

IRGP4068D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRGP4068D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 96 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 245 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 95 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IRGP4068D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:263K  international rectifier
 irgp4068d.pdf pdf_icon

IRGP4068D

PD - 97250CIRGP4068DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODEFOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONSIRGP4068D-EPbFFeatures Low VCE (ON) Trench IGBT Technology CVCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction temperature 175 CIC = 48A, TC = 100C 5 S short circuit SOA Square RBSOAG tSC 5s, TJ(max) = 175C

 0.1. Size:248K  international rectifier
 irgp4068dpbf irgp4068d-epbf.pdf pdf_icon

IRGP4068D

PD - 97250CIRGP4068DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODEFOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONSIRGP4068D-EPbFFeatures Low VCE (ON) Trench IGBT Technology CVCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction temperature 175 CIC = 48A, TC = 100C 5 S short circuit SOA Square RBSOAG tSC 5s, TJ(max) = 175C

 0.2. Size:326K  international rectifier
 irgp4068dpbf.pdf pdf_icon

IRGP4068D

PD - 97250IRGP4068DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODEFOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONSIRGP4068D-EPbFFeatures Low VCE (ON) Trench IGBT Technology CVCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction temperature 175 CIC = 48A, TC = 100C 5 S short circuit SOA Square RBSOAG tSC 5s, TJ(max) = 175C

 0.3. Size:263K  international rectifier
 irgp4068d-e.pdf pdf_icon

IRGP4068D

PD - 97250CIRGP4068DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODEFOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONSIRGP4068D-EPbFFeatures Low VCE (ON) Trench IGBT Technology CVCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction temperature 175 CIC = 48A, TC = 100C 5 S short circuit SOA Square RBSOAG tSC 5s, TJ(max) = 175C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRGP4050 , IRGP4062D , IRGP4063 , IRGP4063D , IRGP4066 , IRGP4066D , IRGP4066D-E , IRGP4066-E , HGTG30N60A4 , IRGP4068D-E , IRGP4069 , IRGP4069D , IRGP4072D , IRGP4086 , IRGP50B60PD , IRGP50B60PD1 , IRGP50B60PD1-EP .

History: IRG4ZC70UD | TGAN25N120ND | IRG4PSH71KD

 

 
Back to Top

 


 
.