IRGP4068D - Аналоги. Основные параметры
Наименование: IRGP4068D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 96 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 245 pF
Тип корпуса: TO247
Технические параметры IRGP4068D
irgp4068dpbf.pdf
PD - 97250 IRGP4068DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS IRGP4068D-EPbF Features Low VCE (ON) Trench IGBT Technology C VCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction temperature 175 C IC = 48A, TC = 100 C 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C
Другие IGBT... IRGP4050 , IRGP4062D , IRGP4063 , IRGP4063D , IRGP4066 , IRGP4066D , IRGP4066D-E , IRGP4066-E , IRG4PF50W , IRGP4068D-E , IRGP4069 , IRGP4069D , IRGP4072D , IRGP4086 , IRGP50B60PD , IRGP50B60PD1 , IRGP50B60PD1-EP .
History: IRG8P08N120KD | IRG7RC07SD
History: IRG8P08N120KD | IRG7RC07SD
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389





