IRGS6B60K IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRGS6B60K
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 90 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 17 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 34 pF
Encapsulados: D2PAK
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IRGS6B60K datasheet
irgs6b60k.pdf
PD - 94575A IRGB6B60K IRGS6B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IRGSL6B60K C VCES = 600V Features Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. 10 s Short Circuit Capability. IC = 7.0A, TC=100 C Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient. G tsc > 10 s, TJ=150 C E VCE(on) typ. = 1.8V n-channel Benefits Benchmark Efficiency for Motor Con
irgs6b60kd.pdf
PD - 94381E IRGB6B60KD IRGS6B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRGSL6B60KD ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Features Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. Low Diode VF. IC = 7.0A, TC=100 C 10 s Short Circuit Capability. Square RBSOA. G Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. tsc > 10 s, TJ=150 C Positive VCE (
Otros transistores... IRGS15B60K , IRGS15B60KD , IRGS30B60K , IRGS4056D , IRGS4062D , IRGS4086 , IRGS4B60K , IRGS4B60KD1 , FGPF4536 , IRGS6B60KD , IRGS8B60K , IRGSL10B60KD , IRGSL14C40L , IRGSL15B60KD , IRGSL30B60K , IRGSL4062D , IRGSL4B60KD1 .
History: IRGS4B60KD1
History: IRGS4B60KD1
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