IRGS6B60K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRGS6B60K  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 13 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 34 pF

Тип корпуса: D2PAK

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRGS6B60K

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGS6B60K даташит

 ..1. Size:249K  international rectifier
 irgs6b60k.pdf pdf_icon

IRGS6B60K

PD - 94575A IRGB6B60K IRGS6B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IRGSL6B60K C VCES = 600V Features Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. 10 s Short Circuit Capability. IC = 7.0A, TC=100 C Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient. G tsc > 10 s, TJ=150 C E VCE(on) typ. = 1.8V n-channel Benefits Benchmark Efficiency for Motor Con

 0.1. Size:311K  international rectifier
 irgs6b60kd.pdf pdf_icon

IRGS6B60K

PD - 94381E IRGB6B60KD IRGS6B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRGSL6B60KD ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Features Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. Low Diode VF. IC = 7.0A, TC=100 C 10 s Short Circuit Capability. Square RBSOA. G Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. tsc > 10 s, TJ=150 C Positive VCE (

Другие IGBT... IRGS15B60K, IRGS15B60KD, IRGS30B60K, IRGS4056D, IRGS4062D, IRGS4086, IRGS4B60K, IRGS4B60KD1, IXGH60N60, IRGS6B60KD, IRGS8B60K, IRGSL10B60KD, IRGSL14C40L, IRGSL15B60KD, IRGSL30B60K, IRGSL4062D, IRGSL4B60KD1