IRGS8B60K Todos los transistores

 

IRGS8B60K - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRGS8B60K
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 167 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 28 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 22 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 38 pF
   Paquete / Cubierta: D2PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRGS8B60K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:472K  international rectifier
 irgs8b60k.pdf pdf_icon

IRGS8B60K

PD - 94545CIRGB8B60KIRGS8B60KINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORIRGSL8B60KCFeaturesVCES = 600V Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. 10s Short Circuit Capability.IC = 20A, TC=100C Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Gtsc>10s, TJ=150CEVCE(on) typ. = 1.8Vn-channelBenefits Benchmark Efficiency for Motor Control

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History: OST25N65PMF | HCKD5N65BM2

 

 
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