IRGS8B60K IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRGS8B60K
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 167 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 22 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 38 pF
Encapsulados: D2PAK
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IRGS8B60K datasheet
irgs8b60k.pdf
PD - 94545C IRGB8B60K IRGS8B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IRGSL8B60K C Features VCES = 600V Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. 10 s Short Circuit Capability. IC = 20A, TC=100 C Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient. G tsc>10 s, TJ=150 C E VCE(on) typ. = 1.8V n-channel Benefits Benchmark Efficiency for Motor Control
Otros transistores... IRGS30B60K , IRGS4056D , IRGS4062D , IRGS4086 , IRGS4B60K , IRGS4B60KD1 , IRGS6B60K , IRGS6B60KD , GT30J127 , IRGSL10B60KD , IRGSL14C40L , IRGSL15B60KD , IRGSL30B60K , IRGSL4062D , IRGSL4B60KD1 , IRGSL6B60KD , RJH1CD5DPQ-A0 .
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