Справочник IGBT. IRGS8B60K

 

IRGS8B60K Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRGS8B60K
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 28 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 38 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 29 nC
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IRGS8B60K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:472K  international rectifier
 irgs8b60k.pdf pdf_icon

IRGS8B60K

PD - 94545CIRGB8B60KIRGS8B60KINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORIRGSL8B60KCFeaturesVCES = 600V Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. 10s Short Circuit Capability.IC = 20A, TC=100C Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Gtsc>10s, TJ=150CEVCE(on) typ. = 1.8Vn-channelBenefits Benchmark Efficiency for Motor Control

Другие IGBT... IRGS30B60K , IRGS4056D , IRGS4062D , IRGS4086 , IRGS4B60K , IRGS4B60KD1 , IRGS6B60K , IRGS6B60KD , SGT40N60NPFDPN , IRGSL10B60KD , IRGSL14C40L , IRGSL15B60KD , IRGSL30B60K , IRGSL4062D , IRGSL4B60KD1 , IRGSL6B60KD , RJH1CD5DPQ-A0 .

History: IXGR60N60C2C1

 

 
Back to Top

 


 
.