GT60M101 Todos los transistores

 

GT60M101 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT60M101
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS
   Paquete / Cubierta: TO264
     - Selección de transistores por parámetros

 

GT60M101 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:142K  toshiba
 gt60m101.pdf pdf_icon

GT60M101

 7.1. Size:248K  toshiba
 gt60m104.pdf pdf_icon

GT60M101

 7.2. Size:287K  toshiba
 gt50q101 gt50t101 gt60j101 gt60m102 gt60m103 gt75g101.pdf pdf_icon

GT60M101

 9.1. Size:297K  toshiba
 gt60m301.pdf pdf_icon

GT60M101

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... GT50S101 , GT50T101 , GT5G101 , GT5G102 , GT5G102LB , GT5G103 , GT5G103LB , GT60J101 , JT075N065WED , GT60M102 , GT60M103 , GT60M301 , GT60M302 , GT60M303 , GT75G101 , GT80J101 , GT8G101 .

History: IRGB4B60KD1PBF | BSM300GB120DLC | IXXH50N60C3 | IXGH20N100A3 | IXBX28N300HV | MMG400D060B6TC | IXGA48N60C3

 

 
Back to Top

 


 
.