Справочник IGBT. GT60M101

 

GT60M101 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GT60M101
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для GT60M101

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT60M101 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:142K  toshiba
 gt60m101.pdf pdf_icon

GT60M101

 7.1. Size:248K  toshiba
 gt60m104.pdf pdf_icon

GT60M101

 7.2. Size:287K  toshiba
 gt50q101 gt50t101 gt60j101 gt60m102 gt60m103 gt75g101.pdf pdf_icon

GT60M101

 9.1. Size:297K  toshiba
 gt60m301.pdf pdf_icon

GT60M101

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GT50S101 , GT50T101 , GT5G101 , GT5G102 , GT5G102LB , GT5G103 , GT5G103LB , GT60J101 , SGH80N60UFD , GT60M102 , GT60M103 , GT60M301 , GT60M302 , GT60M303 , GT75G101 , GT80J101 , GT8G101 .

History: OST50N65H4EWF | AUIRGP4063D | IXA220I650NA | IXDH30N120AU1 | DG40H12T2Y

 

 
Back to Top

 


 
.