GT60M102 Todos los transistores

 

GT60M102 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT60M102
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.8(max) V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

 Búsqueda de reemplazo de GT60M102 IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

GT60M102 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  toshiba
 gt50q101 gt50t101 gt60j101 gt60m102 gt60m103 gt75g101.pdf pdf_icon

GT60M102

 7.1. Size:142K  toshiba
 gt60m101.pdf pdf_icon

GT60M102

 7.2. Size:248K  toshiba
 gt60m104.pdf pdf_icon

GT60M102

 9.1. Size:297K  toshiba
 gt60m301.pdf pdf_icon

GT60M102

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... GT50T101 , GT5G101 , GT5G102 , GT5G102LB , GT5G103 , GT5G103LB , GT60J101 , GT60M101 , IKW50N60T , GT60M103 , GT60M301 , GT60M302 , GT60M303 , GT75G101 , GT80J101 , GT8G101 , GT8G102 .

History: SIW50N65G2L2G

 

 
Back to Top

 


History: SIW50N65G2L2G

GT60M102   GT60M102   GT60M102  

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores

IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet

 


 
.