GT60M102 Todos los transistores

 

GT60M102 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT60M102
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.8(max) V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

GT60M102 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  toshiba
 gt50q101 gt50t101 gt60j101 gt60m102 gt60m103 gt75g101.pdf pdf_icon

GT60M102

 7.1. Size:142K  toshiba
 gt60m101.pdf pdf_icon

GT60M102

 7.2. Size:248K  toshiba
 gt60m104.pdf pdf_icon

GT60M102

 9.1. Size:297K  toshiba
 gt60m301.pdf pdf_icon

GT60M102

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... GT50T101 , GT5G101 , GT5G102 , GT5G102LB , GT5G103 , GT5G103LB , GT60J101 , GT60M101 , GT30F133 , GT60M103 , GT60M301 , GT60M302 , GT60M303 , GT75G101 , GT80J101 , GT8G101 , GT8G102 .

History: STGFW30H65FB | MIXA20W1200TML | KGF40N60PA | MSG20T65HPT1 | IRGS4640D | BLG60T65FDK-K

 

 
Back to Top

 


 
.