Справочник IGBT. GT60M102

 

GT60M102 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GT60M102
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.8(max) V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для GT60M102

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT60M102 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  toshiba
 gt50q101 gt50t101 gt60j101 gt60m102 gt60m103 gt75g101.pdf pdf_icon

GT60M102

 7.1. Size:142K  toshiba
 gt60m101.pdf pdf_icon

GT60M102

 7.2. Size:248K  toshiba
 gt60m104.pdf pdf_icon

GT60M102

 9.1. Size:297K  toshiba
 gt60m301.pdf pdf_icon

GT60M102

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GT50T101 , GT5G101 , GT5G102 , GT5G102LB , GT5G103 , GT5G103LB , GT60J101 , GT60M101 , IKW50N60T , GT60M103 , GT60M301 , GT60M302 , GT60M303 , GT75G101 , GT80J101 , GT8G101 , GT8G102 .

History: IRGR2B60KD | MPBA10N65EF

 

 
Back to Top

 


 
.