Справочник IGBT. GT60M102

 

GT60M102 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GT60M102
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.8(max) V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для GT60M102

 

 

GT60M102 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  toshiba
 gt50q101 gt50t101 gt60j101 gt60m102 gt60m103 gt75g101.pdf

GT60M102

 7.1. Size:142K  toshiba
 gt60m101.pdf

GT60M102 GT60M102

 7.2. Size:248K  toshiba
 gt60m104.pdf

GT60M102 GT60M102

 9.1. Size:297K  toshiba
 gt60m301.pdf

GT60M102 GT60M102

 9.2. Size:204K  toshiba
 gt60m324.pdf

GT60M102 GT60M102

GT60M324 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT60M324 Consumer Application Voltage Resonance Inverter Switching Application Unit: mmSixth Generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT : tf = 0.11s (typ.) (IC = 60A) FRD : trr = 0.8s (typ.) (di/dt = -20 A/s) Low saturation

 9.3. Size:420K  toshiba
 gt60m303.pdf

GT60M102 GT60M102

GT60M303 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT60M303 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mm Fourth generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT : tf = 0.25s (TYP.) FRD : trr = 0.7s (TYP.) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.1V (TYP.) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C)

 9.4. Size:279K  toshiba
 gt60m302.pdf

GT60M102 GT60M102

Другие IGBT... GT50T101 , GT5G101 , GT5G102 , GT5G102LB , GT5G103 , GT5G103LB , GT60J101 , GT60M101 , NGD8201N , GT60M103 , GT60M301 , GT60M302 , GT60M303 , GT75G101 , GT80J101 , GT8G101 , GT8G102 .

 

 
Back to Top