GT60M302 Todos los transistores

 

GT60M302 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT60M302
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 250 nS
   Paquete / Cubierta: TO264
     - Selección de transistores por parámetros

 

GT60M302 Datasheet (PDF)

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GT60M302

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GT60M302

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GT60M302

GT60M303 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT60M303 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mm Fourth generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT : tf = 0.25s (TYP.) FRD : trr = 0.7s (TYP.) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.1V (TYP.) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C)

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GT60M302

GT60M324 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT60M324 Consumer Application Voltage Resonance Inverter Switching Application Unit: mmSixth Generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT : tf = 0.11s (typ.) (IC = 60A) FRD : trr = 0.8s (typ.) (di/dt = -20 A/s) Low saturation

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History: MMG200DR120UK | SMC7G30US60 | IXGM40N60 | SPT40N120F1CT8TL | APTGT200DA170D3 | IXA20PT1200LB | FD400R65KF1-K

 

 
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