Справочник IGBT. GT60M302

 

GT60M302 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GT60M302
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 250 nS
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для GT60M302

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT60M302 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  toshiba
 gt60m302.pdf pdf_icon

GT60M302

 7.1. Size:297K  toshiba
 gt60m301.pdf pdf_icon

GT60M302

 7.2. Size:420K  toshiba
 gt60m303.pdf pdf_icon

GT60M302

GT60M303 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT60M303 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mm Fourth generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT : tf = 0.25s (TYP.) FRD : trr = 0.7s (TYP.) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.1V (TYP.) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C)

 8.1. Size:204K  toshiba
 gt60m324.pdf pdf_icon

GT60M302

GT60M324 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT60M324 Consumer Application Voltage Resonance Inverter Switching Application Unit: mmSixth Generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT : tf = 0.11s (typ.) (IC = 60A) FRD : trr = 0.8s (typ.) (di/dt = -20 A/s) Low saturation

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GT5G102LB , GT5G103 , GT5G103LB , GT60J101 , GT60M101 , GT60M102 , GT60M103 , GT60M301 , TGAN60N60F2DS , GT60M303 , GT75G101 , GT80J101 , GT8G101 , GT8G102 , GT8G103 , GT8G103LB , GT8G121 .

 

 
Back to Top

 


 
.