GT60M302 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: GT60M302  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 250 nS

Тип корпуса: TO264

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для GT60M302

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT60M302 даташит

 ..1. Size:279K  toshiba
 gt60m302.pdf pdf_icon

GT60M302

 7.1. Size:297K  toshiba
 gt60m301.pdf pdf_icon

GT60M302

 7.2. Size:420K  toshiba
 gt60m303.pdf pdf_icon

GT60M302

GT60M303 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT60M303 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit mm Fourth generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT tf = 0.25 s (TYP.) FRD trr = 0.7 s (TYP.) Low saturation voltage VCE (sat) = 2.1V (TYP.) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C)

 8.1. Size:204K  toshiba
 gt60m324.pdf pdf_icon

GT60M302

GT60M324 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT60M324 Consumer Application Voltage Resonance Inverter Switching Application Unit mm Sixth Generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT tf = 0.11 s (typ.) (IC = 60A) FRD trr = 0.8 s (typ.) (di/dt = -20 A/ s) Low saturation

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GT5G102LB, GT5G103, GT5G103LB, GT60J101, GT60M101, GT60M102, GT60M103, GT60M301, JT075N065WED, GT60M303, GT75G101, GT80J101, GT8G101, GT8G102, GT8G103, GT8G103LB, GT8G121