GT60M303 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT60M303
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 170
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 900
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 25
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 60
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.1
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 350
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de GT60M303 - IGBT
GT60M303 Datasheet (PDF)
gt60m303.pdf
GT60M303 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT60M303 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mm Fourth generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT : tf = 0.25s (TYP.) FRD : trr = 0.7s (TYP.) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.1V (TYP.) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C)
gt60m324.pdf
GT60M324 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT60M324 Consumer Application Voltage Resonance Inverter Switching Application Unit: mmSixth Generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT : tf = 0.11s (typ.) (IC = 60A) FRD : trr = 0.8s (typ.) (di/dt = -20 A/s) Low saturation
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Liste
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