GT60M303 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: GT60M303

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.7

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 15

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 400

Корпус: TO264

Аналог (замена) для GT60M303

GT60M303 Datasheet (PDF)

1.1. gt60m303.pdf Size:420K _toshiba

GT60M303 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT60M303 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mm Fourth generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT : tf = 0.25μs (TYP.) FRD : trr = 0.7μs (TYP.) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.1V (TYP.) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

5.1. gt60m104.pdf Size:248K _toshiba



Другие IGBT... GT5G103 , GT5G103LB , GT60J101 , GT60M101 , GT60M102 , GT60M103 , GT60M301 , GT60M302 , GT15Q101 , GT75G101 , GT80J101 , GT8G101 , GT8G102 , GT8G103 , GT8G103LB , GT8G121 , GT8G121LB .