Справочник IGBT. GT60M303

 

GT60M303 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GT60M303
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 350 nS
   Тип корпуса: TO264
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

GT60M303 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  toshiba
 gt60m303.pdf pdf_icon

GT60M303

GT60M303 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT60M303 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mm Fourth generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT : tf = 0.25s (TYP.) FRD : trr = 0.7s (TYP.) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.1V (TYP.) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C)

 7.1. Size:297K  toshiba
 gt60m301.pdf pdf_icon

GT60M303

 7.2. Size:279K  toshiba
 gt60m302.pdf pdf_icon

GT60M303

 8.1. Size:204K  toshiba
 gt60m324.pdf pdf_icon

GT60M303

GT60M324 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT60M324 Consumer Application Voltage Resonance Inverter Switching Application Unit: mmSixth Generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT : tf = 0.11s (typ.) (IC = 60A) FRD : trr = 0.8s (typ.) (di/dt = -20 A/s) Low saturation

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GT5G103 , GT5G103LB , GT60J101 , GT60M101 , GT60M102 , GT60M103 , GT60M301 , GT60M302 , NGD8201N , GT75G101 , GT80J101 , GT8G101 , GT8G102 , GT8G103 , GT8G103LB , GT8G121 , GT8G121LB .

History: CM150DX-24S | APTGF150X60TE3 | 1MBC10D-060 | SKM400GA124D | 2MBI800U4G-120 | 6MBP25VBA120-50 | AUIRG4BC30S-S

 

 
Back to Top

 


 
.