GM200HB12CT Todos los transistores

 

GM200HB12CT - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GM200HB12CT

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 1200V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.7V

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 260A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 50

Capacitancia de salida (Cc), pF: 760000pF

Empaquetado / Estuche:

Búsqueda de reemplazo de GM200HB12CT - IGBT

 

 

GM200HB12CT Datasheet (PDF)

1.1. gm200hb12ct.pdf Size:415K _kec

GM200HB12CT 
GM200HB12CT

SEMICONDUCTOR GM200HB12CT TECHNICAL DATA 1200V/200A 2 IN ONE PACKAGE TENTATIVE FEATURES ·IGBT New Technology Unit : mm OUTLINE DRAWING ·Low VCE(sat) ·Low Turn-off losses _ 108.5 0.2 + _ 6.5 0.2 + _ _ 28 0.2 28 0.2 + + ·Short tail current ·Positive temperature coefficient G2 E2 APPLICATION E1 ·AC & DC Motor controls G1 M6 ·General purpose inverters ·Optimize

5.1. nsgm200gb120b.pdf Size:1383K _igbt

GM200HB12CT 
GM200HB12CT

SEMICONDUCTOR 5. Small temperature dependence of the turn-off switching loss 48.5 25 25 C2E1 E2 C1 3-M6 93+0.3 4- 6.5 108+0.5 14 14 14 2.8 4-0.5 All dimensions in millimeters 27 15 17.8 48+0.3 62.5+0.5 G1 E1 E2 G2 30.9 30.5 22.5 SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR

Otros transistores... TIG066SS , DGG4015 , FGM622S , FGM623S , MGD623N , MGD623S , IGC70T120T6RM , 2E802A-5 , RJP30H1DPP-M0 , GM400HB06CT , KGH15N120NDA , KGH25N120NDA , KGT12N120NDH , KGT15N120KDA , KGT15N120NDA , KGT15N120NDH , KGT15N60FDA .

Back to Top

 


GM200HB12CT 
  GM200HB12CT 
  GM200HB12CT 
  GM200HB12CT 
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores

IGBT: RJP30H2A | GT50JR22 | IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB |

 

 

Back to Top