Справочник IGBT. GM200HB12CT

 

GM200HB12CT - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GM200HB12CT
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 260 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 760000 pF
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для GM200HB12CT

 

 

GM200HB12CT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  kec
 gm200hb12ct.pdf

GM200HB12CT GM200HB12CT

SEMICONDUCTORGM200HB12CTTECHNICAL DATA1200V/200A 2 IN ONE PACKAGETENTATIVEFEATURES IGBT New Technology Unit : mmOUTLINE DRAWINGLow VCE(sat)Low Turn-off losses _108.5 0.2+_6.5 0.2+_ _28 0.2 28 0.2+ +Short tail currentPositive temperature coefficientG2E2APPLICATION E1AC & DC Motor controlsG1M6General purpose invertersOptimize

 8.1. Size:408K  silan
 sgm200hf12a3tfd.pdf

GM200HB12CT GM200HB12CT

SGM200HF12A3TFD 200A, 1200V IGBT 0B SGM200HF12A3TFD 1B 200A1200VVCE(sat)( ) =2.2V@IC=200A VCE(sat) DBC A3

 9.1. Size:1383K  nell
 nsgm200gb120b.pdf

GM200HB12CT GM200HB12CT

SEMICONDUCTOR5. Small temperature dependence of the turn-off switching loss48.525 25C2E1 E2 C13-M693+0.3 4- 6.5108+0.514 14 14 2.84-0.5All dimensions in millimeters271517.848+0.362.5+0.5G1 E1E2 G230.930.522.5SEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTOR

 9.2. Size:1345K  cn leading energy
 legm200bh120l2k.pdf

GM200HB12CT GM200HB12CT

Sep.2020LEGM200BH120L2KIGBT Power ModuleFeatures: Applications: VCE=1200V IC=200A The inverter Low VCE(sat) Motor control and drives VCEsat with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 150 Isolation Type PackagePackage Type & Internal Circuit L2Internal CircuitMaximum Rated ValuesIGBT InverterSymbol Parameter Condi

 9.3. Size:1328K  cn leading energy
 legm200ba120l2h.pdf

GM200HB12CT GM200HB12CT

Sep.2020LEGM200BA120L2HIGBT Power ModuleFeatures Applications VCE=1200V IC=200A The inverter Low VCE(sat) Motor control and drives VCEsat with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 150 Isolation Type PackagePackage Type & Internal Circuit L2 Internal CircuitMaximum Rated ValuesIGBT InverterSymbol Parameter Conditio

Другие IGBT... TIG066SS , DGG4015 , FGM622S , FGM623S , MGD623N , MGD623S , FGW50N65WE , SKW030N065 , RJP30H1DPD , GM400HB06CT , KGH15N120NDA , KGH25N120NDA , KGT12N120NDH , KGT15N120KDA , KGT15N120NDA , KGT15N120NDH , KGT15N60FDA .

 

 
Back to Top