KGH25N120NDA Todos los transistores

 

KGH25N120NDA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KGH25N120NDA
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 200 pF
   Paquete / Cubierta: TO3PN

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KGH25N120NDA Datasheet (PDF)

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KGH25N120NDA

SEMICONDUCTOR KGH25N120NDA TECHNICAL DATA General Description KEC NPT IGBTs offer lowest losses and highest energy efficiency for application such as IH (induction heating), UPS, General inverter and other soft switching applications. FEATURES High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technology MAXIMUM RATING

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