KGH25N120NDA Todos los transistores

 

KGH25N120NDA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KGH25N120NDA
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 200 pF
   Paquete / Cubierta: TO3PN
     - Selección de transistores por parámetros

 

KGH25N120NDA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1438K  kec
 kgh25n120nda.pdf pdf_icon

KGH25N120NDA

SEMICONDUCTORKGH25N120NDATECHNICAL DATAGeneral DescriptionKEC NPT IGBTs offer lowest losses and highest energy efficiency forapplication such as IH (induction heating), UPS, General inverter and othersoft switching applications. FEATURES High speed switchingHigher system efficiencySoft current turn-off waveformsSquare RBSOA using NPT technologyMAXIMUM RATING

Otros transistores... FGM623S , MGD623N , MGD623S , FGW50N65WE , SKW030N065 , GM200HB12CT , GM400HB06CT , KGH15N120NDA , IHW20N120R3 , KGT12N120NDH , KGT15N120KDA , KGT15N120NDA , KGT15N120NDH , KGT15N60FDA , KGT20N60KDA , KGT25N120KDA , KGT25N120NDA .

History: GT40J321 | IKU06N60R | GT45G128 | KGT30N60KDA | SGT20T60SDM1P7 | SKB06N60 | FGH40N60SMD

 

 
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