KGH25N120NDA - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги KGH25N120NDA. Основные параметры


   Наименование: KGH25N120NDA
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для KGH25N120NDA

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

KGH25N120NDA даташит

 ..1. Size:1438K  kec
 kgh25n120nda.pdf pdf_icon

KGH25N120NDA

SEMICONDUCTOR KGH25N120NDA TECHNICAL DATA General Description KEC NPT IGBTs offer lowest losses and highest energy efficiency for application such as IH (induction heating), UPS, General inverter and other soft switching applications. FEATURES High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technology MAXIMUM RATING

Другие IGBT... FGM623S , MGD623N , MGD623S , FGW50N65WE , SKW030N065 , GM200HB12CT , GM400HB06CT , KGH15N120NDA , RJP30H1DPD , KGT12N120NDH , KGT15N120KDA , KGT15N120NDA , KGT15N120NDH , KGT15N60FDA , KGT20N60KDA , KGT25N120KDA , KGT25N120NDA .

History: KGT12N120NDH

 

 

 


 
↑ Back to Top
.