KGH25N120NDA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: KGH25N120NDA  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF

Тип корпуса: TO3PN

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для KGH25N120NDA

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

KGH25N120NDA даташит

 ..1. Size:1438K  kec
 kgh25n120nda.pdf pdf_icon

KGH25N120NDA

SEMICONDUCTOR KGH25N120NDA TECHNICAL DATA General Description KEC NPT IGBTs offer lowest losses and highest energy efficiency for application such as IH (induction heating), UPS, General inverter and other soft switching applications. FEATURES High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technology MAXIMUM RATING

Другие IGBT... FGM623S, MGD623N, MGD623S, FGW50N65WE, SKW030N065, GM200HB12CT, GM400HB06CT, KGH15N120NDA, FGA60N65SMD, KGT12N120NDH, KGT15N120KDA, KGT15N120NDA, KGT15N120NDH, KGT15N60FDA, KGT20N60KDA, KGT25N120KDA, KGT25N120NDA