Справочник IGBT. KGH25N120NDA

 

KGH25N120NDA Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: KGH25N120NDA
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 200 nC
   Тип корпуса: TO3PN
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

KGH25N120NDA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1438K  kec
 kgh25n120nda.pdf pdf_icon

KGH25N120NDA

SEMICONDUCTORKGH25N120NDATECHNICAL DATAGeneral DescriptionKEC NPT IGBTs offer lowest losses and highest energy efficiency forapplication such as IH (induction heating), UPS, General inverter and othersoft switching applications. FEATURES High speed switchingHigher system efficiencySoft current turn-off waveformsSquare RBSOA using NPT technologyMAXIMUM RATING

Другие IGBT... FGM623S , MGD623N , MGD623S , FGW50N65WE , SKW030N065 , GM200HB12CT , GM400HB06CT , KGH15N120NDA , IHW20N120R3 , KGT12N120NDH , KGT15N120KDA , KGT15N120NDA , KGT15N120NDH , KGT15N60FDA , KGT20N60KDA , KGT25N120KDA , KGT25N120NDA .

History: FGM622S | IKD15N60R

 

 
Back to Top

 


 
.