GT80J101 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT80J101
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de GT80J101 - IGBT
GT80J101 Datasheet (PDF)
gt80j101.pdf
GT80J101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N - CHANNEL MOS TYPE GT80J101 Unit: mmHIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS High Input Impedance High Speed : t = 0.40s (Max.) f Low Saturation Voltage : V = 3.5V (Max.) CE (sat) Enhancement-Mode MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Emitter Voltage VCES 600 VGate-Emitte
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