GT80J101 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT80J101  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS

Encapsulados: TO264

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GT80J101 datasheet

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GT80J101

GT80J101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N - CHANNEL MOS TYPE GT80J101 Unit mm HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS High Input Impedance High Speed t = 0.40 s (Max.) f Low Saturation Voltage V = 3.5V (Max.) CE (sat) Enhancement-Mode MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Collector-Emitter Voltage VCES 600 V Gate-Emitte

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