GT80J101 Todos los transistores

 

GT80J101 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT80J101
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS
   Paquete / Cubierta: TO264
     - Selección de transistores por parámetros

 

GT80J101 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  toshiba
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GT80J101

GT80J101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N - CHANNEL MOS TYPE GT80J101 Unit: mmHIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS High Input Impedance High Speed : t = 0.40s (Max.) f Low Saturation Voltage : V = 3.5V (Max.) CE (sat) Enhancement-Mode MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Emitter Voltage VCES 600 VGate-Emitte

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History: MMG150S120B6TN | APTGF25X120E2

 

 
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