GT80J101 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: GT80J101  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS

Тип корпуса: TO264

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для GT80J101

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT80J101 даташит

 ..1. Size:235K  toshiba
 gt80j101.pdf pdf_icon

GT80J101

GT80J101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N - CHANNEL MOS TYPE GT80J101 Unit mm HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS High Input Impedance High Speed t = 0.40 s (Max.) f Low Saturation Voltage V = 3.5V (Max.) CE (sat) Enhancement-Mode MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Collector-Emitter Voltage VCES 600 V Gate-Emitte

Другие IGBT... GT60J101, GT60M101, GT60M102, GT60M103, GT60M301, GT60M302, GT60M303, GT75G101, IKW50N60H3, GT8G101, GT8G102, GT8G103, GT8G103LB, GT8G121, GT8G121LB, GT8J101, GT8J102