Справочник IGBT. GT80J101

 

GT80J101 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GT80J101
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для GT80J101

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT80J101 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  toshiba
 gt80j101.pdf pdf_icon

GT80J101

GT80J101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N - CHANNEL MOS TYPE GT80J101 Unit: mmHIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS High Input Impedance High Speed : t = 0.40s (Max.) f Low Saturation Voltage : V = 3.5V (Max.) CE (sat) Enhancement-Mode MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Emitter Voltage VCES 600 VGate-Emitte

Другие IGBT... GT60J101 , GT60M101 , GT60M102 , GT60M103 , GT60M301 , GT60M302 , GT60M303 , GT75G101 , CRG60T60AK3HD , GT8G101 , GT8G102 , GT8G103 , GT8G103LB , GT8G121 , GT8G121LB , GT8J101 , GT8J102 .

 

 
Back to Top

 


 
.