KGT12N120NDH Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KGT12N120NDH  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 176 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 18 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 50 pF

Encapsulados: TO3PN

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KGT12N120NDH datasheet

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KGT12N120NDH

SEMICONDUCTOR KGT12N120NDH TECHNICAL DATA General Description KEC NPT IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency and high avalanche ruggedness for soft switching application such as IH(induction heating), microwave oven, etc. FEATURES High speed switching High system efficiency Soft current turn-off waveforms Extremely enhanced avalanche capability MAXIMUM RAT

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