KGT12N120NDH - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KGT12N120NDH
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 176 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 24 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 18
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 50
Paquete / Cubierta: TO3PN
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KGT12N120NDH Datasheet (PDF)
kgt12n120ndh.pdf
SEMICONDUCTORKGT12N120NDHTECHNICAL DATAGeneral DescriptionKEC NPT IGBTs offer low switching losses, high energy efficiencyand high avalanche ruggedness for soft switching application such asIH(induction heating), microwave oven, etc.FEATURES High speed switchingHigh system efficiencySoft current turn-off waveformsExtremely enhanced avalanche capabilityMAXIMUM RAT
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Liste
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