Справочник IGBT. KGT12N120NDH

 

KGT12N120NDH Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: KGT12N120NDH
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 24 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для KGT12N120NDH

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

KGT12N120NDH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1077K  kec
 kgt12n120ndh.pdf pdf_icon

KGT12N120NDH

SEMICONDUCTORKGT12N120NDHTECHNICAL DATAGeneral DescriptionKEC NPT IGBTs offer low switching losses, high energy efficiencyand high avalanche ruggedness for soft switching application such asIH(induction heating), microwave oven, etc.FEATURES High speed switchingHigh system efficiencySoft current turn-off waveformsExtremely enhanced avalanche capabilityMAXIMUM RAT

Другие IGBT... MGD623N , MGD623S , FGW50N65WE , SKW030N065 , GM200HB12CT , GM400HB06CT , KGH15N120NDA , KGH25N120NDA , IRG7IC28U , KGT15N120KDA , KGT15N120NDA , KGT15N120NDH , KGT15N60FDA , KGT20N60KDA , KGT25N120KDA , KGT25N120NDA , KGT25N120NDH .

 

 
Back to Top

 


 
.