KGT12N120NDH datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: KGT12N120NDH  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 24 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF

Тип корпуса: TO3PN

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для KGT12N120NDH

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

KGT12N120NDH даташит

 ..1. Size:1077K  kec
 kgt12n120ndh.pdf pdf_icon

KGT12N120NDH

SEMICONDUCTOR KGT12N120NDH TECHNICAL DATA General Description KEC NPT IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency and high avalanche ruggedness for soft switching application such as IH(induction heating), microwave oven, etc. FEATURES High speed switching High system efficiency Soft current turn-off waveforms Extremely enhanced avalanche capability MAXIMUM RAT

Другие IGBT... MGD623N, MGD623S, FGW50N65WE, SKW030N065, GM200HB12CT, GM400HB06CT, KGH15N120NDA, KGH25N120NDA, YGW40N65F1, KGT15N120KDA, KGT15N120NDA, KGT15N120NDH, KGT15N60FDA, KGT20N60KDA, KGT25N120KDA, KGT25N120NDA, KGT25N120NDH