KGT40N60KDA Todos los transistores

 

KGT40N60KDA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KGT40N60KDA
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 290 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 200 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 170 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

KGT40N60KDA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:429K  kec
 kgt40n60kda.pdf pdf_icon

KGT40N60KDA

SEMICONDUCTORKGT40N60KDATECHNICAL DATAGeneral DescriptionBAKEC NPT Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiencyOS Kand short circuit ruggedness.It is designed for applications such as motor control, uninterrupted powersupplies(UPS), general inverters.DIM MILLIMETERS_+A 15.90 0.30_B5.00 + 0.20_FEATURES C20.85 + 0.30_D3.00 + 0.20

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