Справочник IGBT. KGT40N60KDA

 

KGT40N60KDA Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: KGT40N60KDA
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для KGT40N60KDA

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

KGT40N60KDA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:429K  kec
 kgt40n60kda.pdf pdf_icon

KGT40N60KDA

SEMICONDUCTORKGT40N60KDATECHNICAL DATAGeneral DescriptionBAKEC NPT Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiencyOS Kand short circuit ruggedness.It is designed for applications such as motor control, uninterrupted powersupplies(UPS), general inverters.DIM MILLIMETERS_+A 15.90 0.30_B5.00 + 0.20_FEATURES C20.85 + 0.30_D3.00 + 0.20

Другие IGBT... KGT20N60KDA , KGT25N120KDA , KGT25N120NDA , KGT25N120NDH , KGT25N135NDH , KGT30N120NDA , KGT30N120NDH , KGT30N60KDA , IRG7R313U , KGT50N60KDA , RJH30E2DPP , IRG4PC60UPBF , APT100GF60B2R , APT100GF60JR , APT100GF60JRD , APT100GF60JU2 , APT100GF60JU3 .

 

 
Back to Top

 


 
.