KGT50N60KDA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KGT50N60KDA
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 345 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 85 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 250 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 200 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de KGT50N60KDA - IGBT
KGT50N60KDA Datasheet (PDF)
kgt50n60kda.pdf
SEMICONDUCTORKGT50N60KDATECHNICAL DATAGeneral DescriptionBKEC NPT Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency AOS Kand short circuit ruggedness.It is designed for applications such as motor control, uninterrupted powersupplies(UPS), general inverters.DIM MILLIMETERS_+A 15.90 0.30_B5.00 + 0.20_C20.85 + 0.30FEATURES _D 3.00 + 0.20
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Liste
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