KGT50N60KDA - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: KGT50N60KDA
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 345
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 85
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 250
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 200
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для KGT50N60KDA
KGT50N60KDA Datasheet (PDF)
kgt50n60kda.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SEMICONDUCTORKGT50N60KDATECHNICAL DATAGeneral DescriptionBKEC NPT Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency AOS Kand short circuit ruggedness.It is designed for applications such as motor control, uninterrupted powersupplies(UPS), general inverters.DIM MILLIMETERS_+A 15.90 0.30_B5.00 + 0.20_C20.85 + 0.30FEATURES _D 3.00 + 0.20
Другие IGBT... KGT25N120KDA , KGT25N120NDA , KGT25N120NDH , KGT25N135NDH , KGT30N120NDA , KGT30N120NDH , KGT30N60KDA , KGT40N60KDA , IRGP4063D , RJH30E2DPP , IRG4PC60UPBF , APT100GF60B2R , APT100GF60JR , APT100GF60JRD , APT100GF60JU2 , APT100GF60JU3 , APT100GT120JU2 .
![KGT50N60KDA](https://alltransistors.com/images/us.png)
![KGT50N60KDA](https://alltransistors.com/images/es.png)
![KGT50N60KDA](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ