GT5J301 Todos los transistores

 

GT5J301 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT5J301
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 28 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 5 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Paquete / Cubierta: 2-10R1C
 

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GT5J301 Datasheet (PDF)

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GT5J301

GT5J301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT5J301 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mmMOTOR CONTROL APPLICATIONS Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed : tf = 0.30s (Max.) (IC = 5A) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.7V (Max.) (IC = 5A) FRD included between emitter and collector ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

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