GT5J301 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT5J301
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 28 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
Encapsulados: 2-10R1C
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GT5J301 datasheet
gt5j301.pdf
GT5J301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT5J301 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit mm MOTOR CONTROL APPLICATIONS Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed tf = 0.30 s (Max.) (IC = 5A) Low saturation voltage VCE (sat) = 2.7V (Max.) (IC = 5A) FRD included between emitter and collector ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Otros transistores... GT45F128 , GT30F131 , GT30G124 , GT30G125 , GT45G127 , GT45G128 , GT30J124 , GT5G133 , NGTB75N65FL2 , GT8G151 , GT10G131 , GT10J303 , GT10J321 , GT15J301 , GT15J321 , GT20J321 , GT30J121 .
History: IRGPS66160D
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