GT5J301 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT5J301

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Máxima potencia disipada (Pc), W: 28

Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600

Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20

Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 5

Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.1

Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150

Paquete / Cubierta: 2-10R1C

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GT5J301 Datasheet (PDF)

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GT5J301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT5J301 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mmMOTOR CONTROL APPLICATIONS Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed : tf = 0.30s (Max.) (IC = 5A) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.7V (Max.) (IC = 5A) FRD included between emitter and collector ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Otros transistores... GT45F128 , GT30F131 , GT30G124 , GT30G125 , GT45G127 , GT45G128 , GT30J124 , GT5G133 , IRG7SC28U , GT8G151 , GT10G131 , GT10J303 , GT10J321 , GT15J301 , GT15J321 , GT20J321 , GT30J121 .