Справочник IGBT. GT5J301

 

GT5J301 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GT5J301
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 5 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: 2-10R1C
 

 Аналог (замена) для GT5J301

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT5J301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:501K  toshiba
 gt5j301.pdf pdf_icon

GT5J301

GT5J301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT5J301 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mmMOTOR CONTROL APPLICATIONS Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed : tf = 0.30s (Max.) (IC = 5A) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.7V (Max.) (IC = 5A) FRD included between emitter and collector ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие IGBT... GT45F128 , GT30F131 , GT30G124 , GT30G125 , GT45G127 , GT45G128 , GT30J124 , GT5G133 , IKW40T120 , GT8G151 , GT10G131 , GT10J303 , GT10J321 , GT15J301 , GT15J321 , GT20J321 , GT30J121 .

 

 
Back to Top

 


 
.