Справочник IGBT. GT5J301

 

GT5J301 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: GT5J301

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 28

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Корпус: 2-10R1C

Аналог (замена) для GT5J301

 

 

GT5J301 Datasheet (PDF)

1.1. gt5j301 en wm 20061101.pdf Size:501K _toshiba

GT5J301
GT5J301

GT5J301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT5J301 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mm MOTOR CONTROL APPLICATIONS Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed : tf = 0.30?s (Max.) (IC = 5A) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.7V (Max.) (IC = 5A) FRD included between emitter and collector ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (

Другие IGBT... GT45F128 , GT30F131 , GT30G124 , GT30G125 , GT45G127 , GT45G128 , GT30J124 , GT5G133 , IKW40N120H3 , GT8G151 , GT10G131 , GT10J303 , GT10J321 , GT15J301 , GT15J321 , GT20J321 , GT30J121 .

Back to Top

 


GT5J301
  GT5J301
  GT5J301
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: RJP30H2A | GT50JR22 | IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB |
 


 

 

Back to Top