GT8G151 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT8G151
Tipo de transistor: IGBT + Built-in Zener Diodes
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 0.83 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 4 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150(pulse) A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.65 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Paquete / Cubierta: TSON8
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GT8G151 Datasheet (PDF)
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