GT10G131 Todos los transistores

 

GT10G131 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT10G131
   Tipo de transistor: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1.9 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 6 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200(pulse) A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 600 nC
   Paquete / Cubierta: 2-6J1C
 

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GT10G131 Datasheet (PDF)

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GT10G131

GT10G131 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT10G131 Strobe Flash Applications Unit: mm Supplied in compact and thin package requires only a small mounting area 5th generation (trench gate structure) IGBT Enhancement-mode 4-V gate drive voltage: VGE = 4.0 V (min) (@IC = 200 A) Peak collector current: IC = 200 A (max) Built

 8.1. Size:128K  toshiba
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GT10G131

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