GT10G131 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: GT10G131
Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200(pulse) A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 600 nC
Тип корпуса: 2-6J1C
GT10G131 Datasheet (PDF)
..1. Size:201K toshiba
gt10g131.pdf
gt10g131.pdf
GT10G131 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT10G131 Strobe Flash Applications Unit: mm Supplied in compact and thin package requires only a small mounting area 5th generation (trench gate structure) IGBT Enhancement-mode 4-V gate drive voltage: VGE = 4.0 V (min) (@IC = 200 A) Peak collector current: IC = 200 A (max) Built
Другие IGBT... GT30G124 , GT30G125 , GT45G127 , GT45G128 , GT30J124 , GT5G133 , GT5J301 , GT8G151 , STGW60V60DF , GT10J303 , GT10J321 , GT15J301 , GT15J321 , GT20J321 , GT30J121 , GT30J122 , GT30J126 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2