Справочник IGBT. GT10G131

 

GT10G131 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GT10G131
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200(pulse) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 600 nC
   Тип корпуса: 2-6J1C
 

 Аналог (замена) для GT10G131

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT10G131 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  toshiba
 gt10g131.pdf pdf_icon

GT10G131

GT10G131 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT10G131 Strobe Flash Applications Unit: mm Supplied in compact and thin package requires only a small mounting area 5th generation (trench gate structure) IGBT Enhancement-mode 4-V gate drive voltage: VGE = 4.0 V (min) (@IC = 200 A) Peak collector current: IC = 200 A (max) Built

 8.1. Size:128K  toshiba
 gt10g101.pdf pdf_icon

GT10G131

Другие IGBT... GT30G124 , GT30G125 , GT45G127 , GT45G128 , GT30J124 , GT5G133 , GT5J301 , GT8G151 , IRGB20B60PD1 , GT10J303 , GT10J321 , GT15J301 , GT15J321 , GT20J321 , GT30J121 , GT30J122 , GT30J126 .

 

 
Back to Top

 


 
.