GT35J321 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT35J321
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 37 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
Encapsulados: TO-3PN
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GT35J321 datasheet
gt35j321.pdf
GT35J321 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT35J321 Fourth-generation IGBT Unit mm Current Resonance Inverter Switching Applications Enhancement mode High speed tf = 0.19 s (typ.) (IC = 50 A) Low saturation voltage VCE (sat) = 1.9 V (typ.) (IC = 50 A) FRD included between emitter and collector Toshiba package name TO-3P(N)IS A
Otros transistores... GT10J321 , GT15J301 , GT15J321 , GT20J321 , GT30J121 , GT30J122 , GT30J126 , GT30J324 , GT30F125 , GT40J121 , GT40J321 , GT40J322 , GT40J325 , GT50J121 , GT50J325 , GT50J328 , GT50J341 .
History: DL2G100SH6A | DAHF150G120SA
History: DL2G100SH6A | DAHF150G120SA
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