Справочник IGBT. GT35J321

 

GT35J321 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GT35J321
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 37 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 500 nC
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для GT35J321

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT35J321 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  toshiba
 gt35j321.pdf pdf_icon

GT35J321

GT35J321 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT35J321 Fourth-generation IGBT Unit: mmCurrent Resonance Inverter Switching Applications Enhancement mode High speed: tf = 0.19 s (typ.) (IC = 50 A) Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.9 V (typ.) (IC = 50 A) FRD included between emitter and collector Toshiba package name: TO-3P(N)IS A

Другие IGBT... GT10J321 , GT15J301 , GT15J321 , GT20J321 , GT30J121 , GT30J122 , GT30J126 , GT30J324 , IRG4PF50W , GT40J121 , GT40J321 , GT40J322 , GT40J325 , GT50J121 , GT50J325 , GT50J328 , GT50J341 .

 

 
Back to Top

 


 
.