GT35J321 - аналоги и описание IGBT

 

GT35J321 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: GT35J321

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 37 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

Тип корпуса: TO-3PN

 Аналог (замена) для GT35J321

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT35J321 даташит

 ..1. Size:284K  toshiba
 gt35j321.pdf pdf_icon

GT35J321

GT35J321 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT35J321 Fourth-generation IGBT Unit mm Current Resonance Inverter Switching Applications Enhancement mode High speed tf = 0.19 s (typ.) (IC = 50 A) Low saturation voltage VCE (sat) = 1.9 V (typ.) (IC = 50 A) FRD included between emitter and collector Toshiba package name TO-3P(N)IS A

Другие IGBT... GT10J321 , GT15J301 , GT15J321 , GT20J321 , GT30J121 , GT30J122 , GT30J126 , GT30J324 , GT30F125 , GT40J121 , GT40J321 , GT40J322 , GT40J325 , GT50J121 , GT50J325 , GT50J328 , GT50J341 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.