TSG60N100CE Todos los transistores

 

TSG60N100CE - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSG60N100CE
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 208 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 210 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 150 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 270 nC
   Paquete / Cubierta: TO264
     - Selección de transistores por parámetros

 

TSG60N100CE Datasheet (PDF)

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TSG60N100CE

TSG60N100CE N-Channel IGBT with FRD. TO-264 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1000 20 60 General Description The TSG60N100CE using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1000V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

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TSG60N100CE

TSG60N100CE N-Channel IGBT with FRD. TO-264 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1000 20 60 General Description The TSG60N100CE using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1000V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

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