TSG60N100CE - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSG60N100CE
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 208 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 210 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 150 pF
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de TSG60N100CE - IGBT
TSG60N100CE Datasheet (PDF)
tsg60n100ce.pdf
TSG60N100CE N-Channel IGBT with FRD. TO-264 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1000 20 60 General Description The TSG60N100CE using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1000V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.
tsg60n100.pdf
TSG60N100CE N-Channel IGBT with FRD. TO-264 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1000 20 60 General Description The TSG60N100CE using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1000V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.
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Liste
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