TSG60N100CE Todos los transistores

 

TSG60N100CE IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSG60N100CE

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 208 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 210 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 150 pF

Encapsulados: TO264

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TSG60N100CE datasheet

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TSG60N100CE

TSG60N100CE N-Channel IGBT with FRD. TO-264 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1000 20 60 General Description The TSG60N100CE using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1000V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

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TSG60N100CE

TSG60N100CE N-Channel IGBT with FRD. TO-264 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1000 20 60 General Description The TSG60N100CE using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1000V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

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History: APT40GP60J | APT40GP90B | APT150GN60J

 

 

 

 

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