TSG60N100CE - аналоги и описание IGBT

 

TSG60N100CE - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: TSG60N100CE

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 210 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF

Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для TSG60N100CE

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TSG60N100CE даташит

 ..1. Size:409K  taiwansemi
 tsg60n100ce.pdf pdf_icon

TSG60N100CE

TSG60N100CE N-Channel IGBT with FRD. TO-264 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1000 20 60 General Description The TSG60N100CE using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1000V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

 5.1. Size:426K  taiwansemi
 tsg60n100.pdf pdf_icon

TSG60N100CE

TSG60N100CE N-Channel IGBT with FRD. TO-264 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1000 20 60 General Description The TSG60N100CE using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1000V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

Другие IGBT... GT50J325 , GT50J328 , GT50J341 , GT60J323 , GT60J323H , TSG15N120CN , TSG25N120CN , TSG40N120CE , IRGP4063 , APT15GP90B , APT15GP90BDF1 , APT15GP90K , APT15GT60BR , APT15GT60BRD , APT15GT60KR , APT200GN60J , APT200GN60JDQ4 .

History: APT150GN60LDQ4G | APT80GA90LD40 | TGL40N120ND

 

 

 

 

↑ Back to Top
.