Справочник IGBT. TSG60N100CE

 

TSG60N100CE - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TSG60N100CE
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 210 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF
   Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для TSG60N100CE

 

 

TSG60N100CE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:409K  taiwansemi
tsg60n100ce.pdf

TSG60N100CE
TSG60N100CE

TSG60N100CE N-Channel IGBT with FRD. TO-264 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1000 20 60 General Description The TSG60N100CE using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1000V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

 5.1. Size:426K  taiwansemi
tsg60n100.pdf

TSG60N100CE
TSG60N100CE

TSG60N100CE N-Channel IGBT with FRD. TO-264 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1000 20 60 General Description The TSG60N100CE using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1000V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

Другие IGBT... GT50J325 , GT50J328 , GT50J341 , GT60J323 , GT60J323H , TSG15N120CN , TSG25N120CN , TSG40N120CE , SGT60U65FD1PT , APT15GP90B , APT15GP90BDF1 , APT15GP90K , APT15GT60BR , APT15GT60BRD , APT15GT60KR , APT200GN60J , APT200GN60JDQ4 .

 

 
Back to Top