GT8N101 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT8N101 📄📄

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS

Encapsulados: TO3P

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GT8N101 datasheet

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