GT8N101 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: GT8N101
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 8 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для GT8N101

 

 

GT8N101 Datasheet (PDF)

Другие IGBT... GT8G101 , GT8G102 , GT8G103 , GT8G103LB , GT8G121 , GT8G121LB , GT8J101 , GT8J102 , CRG75T60AK3HD , GT8Q101 , GT8Q102 , HGT1S10N120BNS , HGT1S11N120CNS , HGT1S12N60A4DS , HGT1S12N60A4S , HGT1S12N60B3 , HGT1S12N60B3D .