GT8N101 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: GT8N101  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 8 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для GT8N101

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT8N101 даташит

 ..1. Size:120K  toshiba
 gt8n101.pdf pdf_icon

GT8N101

Другие IGBT... GT8G101, GT8G102, GT8G103, GT8G103LB, GT8G121, GT8G121LB, GT8J101, GT8J102, GT30F133, GT8Q101, GT8Q102, HGT1S10N120BNS, HGT1S11N120CNS, HGT1S12N60A4DS, HGT1S12N60A4S, HGT1S12N60B3, HGT1S12N60B3D