APT83GU30B IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APT83GU30B
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 543 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 300 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 29 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 406 pF
Encapsulados: TO247
Búsqueda de reemplazo de APT83GU30B IGBT
- Selección ⓘ de transistores por parámetros
APT83GU30B datasheet
apt83gu30b.pdf
APT83GU30B APT83GU30S 300V POWER MOS 7 IGBT TO-247 The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. D3PAK Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching applications and has been optimized for high frequency C switchmode power supplies. G E G C E Low Conduction Loss SSOA rated C Low Gate
Otros transistores... APT75GP120B2 , APT75GP120J , APT75GP120JDF3 , APT75GT120JU2 , APT75GT120JU3 , APT80GP60B2 , APT80GP60J , APT80GP60JDF3 , FGW75N60HD , APT8GT60KR , APTGF100A120T , APTGF100DA120T , APTGF100DU120T , APTGF100SK120T , APTGF10X120E2 , APTGF10X60BTP2 , APTGF125X60E3 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65