APT83GU30B Todos los transistores

 

APT83GU30B - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APT83GU30B
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 543 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 300 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 29 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 406 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

APT83GU30B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  apt
apt83gu30b.pdf pdf_icon

APT83GU30B

APT83GU30BAPT83GU30S300V POWER MOS 7 IGBTTO-247The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.D3PAKUsing Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,high voltage switching applications and has been optimized for high frequencyCswitchmode power supplies.G EGCE Low Conduction Loss SSOA ratedC Low Gate

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History: MMG75WD120XB6T4N | MMG400D120UA6TC | DAHF100G120SA

 

 
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