APT83GU30B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: APT83GU30B  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 543 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 300 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 29 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 406 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для APT83GU30B

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

APT83GU30B даташит

 ..1. Size:87K  apt
 apt83gu30b.pdf pdf_icon

APT83GU30B

APT83GU30B APT83GU30S 300V POWER MOS 7 IGBT TO-247 The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. D3PAK Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching applications and has been optimized for high frequency C switchmode power supplies. G E G C E Low Conduction Loss SSOA rated C Low Gate

Другие IGBT... APT75GP120B2, APT75GP120J, APT75GP120JDF3, APT75GT120JU2, APT75GT120JU3, APT80GP60B2, APT80GP60J, APT80GP60JDF3, GT30G122, APT8GT60KR, APTGF100A120T, APTGF100DA120T, APTGF100DU120T, APTGF100SK120T, APTGF10X120E2, APTGF10X60BTP2, APTGF125X60E3