Справочник IGBT. APT83GU30B

 

APT83GU30B Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: APT83GU30B
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 543 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 300 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 29 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 406 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для APT83GU30B

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

APT83GU30B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  apt
 apt83gu30b.pdf pdf_icon

APT83GU30B

APT83GU30BAPT83GU30S300V POWER MOS 7 IGBTTO-247The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.D3PAKUsing Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,high voltage switching applications and has been optimized for high frequencyCswitchmode power supplies.G EGCE Low Conduction Loss SSOA ratedC Low Gate

Другие IGBT... APT75GP120B2 , APT75GP120J , APT75GP120JDF3 , APT75GT120JU2 , APT75GT120JU3 , APT80GP60B2 , APT80GP60J , APT80GP60JDF3 , HGTG30N60A4 , APT8GT60KR , APTGF100A120T , APTGF100DA120T , APTGF100DU120T , APTGF100SK120T , APTGF10X120E2 , APTGF10X60BTP2 , APTGF125X60E3 .

 

 
Back to Top

 


 
.