APT8GT60KR Todos los transistores

 

APT8GT60KR - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APT8GT60KR
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 70 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 17 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 11 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 44 pF
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

APT8GT60KR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  apt
 apt8gt60kr.pdf pdf_icon

APT8GT60KR

APT8GT60KR600V 17AThunderbolt IGBTTO-220The Thunderbolt IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.Using Non-Punch Through Technology the Thunderbolt IGBT offers superiorruggedness and ultrafast switching speed.GC Low Forward Voltage Drop High Freq. Switching to 150KHz EC Low Tail Current Ultra Low Leakage Current Avalanche Rated R

Otros transistores... APT75GP120J , APT75GP120JDF3 , APT75GT120JU2 , APT75GT120JU3 , APT80GP60B2 , APT80GP60J , APT80GP60JDF3 , APT83GU30B , IHW20N120R2 , APTGF100A120T , APTGF100DA120T , APTGF100DU120T , APTGF100SK120T , APTGF10X120E2 , APTGF10X60BTP2 , APTGF125X60E3 , APTGF125X60TE3 .

History: SML75HB06 | IXGH30N60B | MMG15CB120XB6TC | NGTB50N120FL2WG | IRG4BC30UD | IRG7PH35UD1M | IKW50N65WR5

 

 
Back to Top

 


 
.