Справочник IGBT. APT8GT60KR

 

APT8GT60KR Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: APT8GT60KR
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 17 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 11 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 44 pF
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для APT8GT60KR

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

APT8GT60KR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  apt
 apt8gt60kr.pdf pdf_icon

APT8GT60KR

APT8GT60KR600V 17AThunderbolt IGBTTO-220The Thunderbolt IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.Using Non-Punch Through Technology the Thunderbolt IGBT offers superiorruggedness and ultrafast switching speed.GC Low Forward Voltage Drop High Freq. Switching to 150KHz EC Low Tail Current Ultra Low Leakage Current Avalanche Rated R

Другие IGBT... APT75GP120J , APT75GP120JDF3 , APT75GT120JU2 , APT75GT120JU3 , APT80GP60B2 , APT80GP60J , APT80GP60JDF3 , APT83GU30B , FGPF4533 , APTGF100A120T , APTGF100DA120T , APTGF100DU120T , APTGF100SK120T , APTGF10X120E2 , APTGF10X60BTP2 , APTGF125X60E3 , APTGF125X60TE3 .

History: APTGF10X120E2

 

 
Back to Top

 


 
.