APT8GT60KR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: APT8GT60KR  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 17 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 11 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 44 pF

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для APT8GT60KR

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

APT8GT60KR даташит

 ..1. Size:87K  apt
 apt8gt60kr.pdf pdf_icon

APT8GT60KR

APT8GT60KR 600V 17A Thunderbolt IGBT TO-220 The Thunderbolt IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Non-Punch Through Technology the Thunderbolt IGBT offers superior ruggedness and ultrafast switching speed. G C Low Forward Voltage Drop High Freq. Switching to 150KHz E C Low Tail Current Ultra Low Leakage Current Avalanche Rated R

Другие IGBT... APT75GP120J, APT75GP120JDF3, APT75GT120JU2, APT75GT120JU3, APT80GP60B2, APT80GP60J, APT80GP60JDF3, APT83GU30B, STGB10NB37LZ, APTGF100A120T, APTGF100DA120T, APTGF100DU120T, APTGF100SK120T, APTGF10X120E2, APTGF10X60BTP2, APTGF125X60E3, APTGF125X60TE3