APT8GT60KR - аналоги и описание IGBT

 

APT8GT60KR - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: APT8GT60KR
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 17 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 11 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 44 pF
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для APT8GT60KR

 

Технические параметры APT8GT60KR

 ..1. Size:87K  apt
apt8gt60kr.pdfpdf_icon

APT8GT60KR

APT8GT60KR 600V 17A Thunderbolt IGBT TO-220 The Thunderbolt IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Non-Punch Through Technology the Thunderbolt IGBT offers superior ruggedness and ultrafast switching speed. G C Low Forward Voltage Drop High Freq. Switching to 150KHz E C Low Tail Current Ultra Low Leakage Current Avalanche Rated R

Другие IGBT... APT75GP120J , APT75GP120JDF3 , APT75GT120JU2 , APT75GT120JU3 , APT80GP60B2 , APT80GP60J , APT80GP60JDF3 , APT83GU30B , KGF75N65KDF , APTGF100A120T , APTGF100DA120T , APTGF100DU120T , APTGF100SK120T , APTGF10X120E2 , APTGF10X60BTP2 , APTGF125X60E3 , APTGF125X60TE3 .

 

 
Back to Top

 


 
.