2PG006 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2PG006  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 40 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 430 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 400 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 130 pF

Encapsulados: TO220F

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2PG006 datasheet

 ..1. Size:398K  panasonic
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2PG006

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). IGBT 2PG006 Silicon N-channel enhancement IGBT For plasma display panel drive For high speed switching circuits Package Features Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)

 9.1. Size:300K  panasonic
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2PG006

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). IGBT 2PG001 N-channel enhancement mode IGBT For plasma display panel drive For high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)

 9.2. Size:417K  fuji
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2PG006

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). IGBT 2PG009 Silicon N-channel enhancement IGBT For plasma display panel drive For high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)

Otros transistores... APTGT75TDU120P, APTGT75X120BTP3, APTGT75X120E3, APTGT75X120TE3, APTLGF140U120T, APTLGF210U120T, APTLGF280U120T, APTLGF70U120T, FGH30S130P, FGW15N120H, FGW15N120HD, FGW15N120VD, FGW40N120H, FGW40N120HD, FGW40N120VD, FGW40N120W, FGW40N120WD