Справочник IGBT. 2PG006

 

2PG006 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 2PG006
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: DG402RP
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 430 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 400 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 54 nC
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для 2PG006

 

 

2PG006 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:398K  panasonic
 2pg006.pdf

2PG006 2PG006

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).IGBT 2PG006Silicon N-channel enhancement IGBTFor plasma display panel driveFor high speed switching circuits Package Features Code Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat)

 9.1. Size:300K  panasonic
 2pg001.pdf

2PG006 2PG006

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).IGBT 2PG001N-channel enhancement mode IGBTFor plasma display panel driveFor high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat)

 9.2. Size:417K  fuji
 2pg009.pdf

2PG006 2PG006

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).IGBT 2PG009Silicon N-channel enhancement IGBTFor plasma display panel driveFor high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat)

Другие IGBT... APTGT75TDU120P , APTGT75X120BTP3 , APTGT75X120E3 , APTGT75X120TE3 , APTLGF140U120T , APTLGF210U120T , APTLGF280U120T , APTLGF70U120T , IRG4PC50U , FGW15N120H , FGW15N120HD , FGW15N120VD , FGW40N120H , FGW40N120HD , FGW40N120VD , FGW40N120W , FGW40N120WD .

 

 
Back to Top