2PG006 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: 2PG006  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 430 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 400 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для 2PG006

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

2PG006 даташит

 ..1. Size:398K  panasonic
 2pg006.pdf pdf_icon

2PG006

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). IGBT 2PG006 Silicon N-channel enhancement IGBT For plasma display panel drive For high speed switching circuits Package Features Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)

 9.1. Size:300K  panasonic
 2pg001.pdf pdf_icon

2PG006

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). IGBT 2PG001 N-channel enhancement mode IGBT For plasma display panel drive For high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)

 9.2. Size:417K  fuji
 2pg009.pdf pdf_icon

2PG006

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). IGBT 2PG009 Silicon N-channel enhancement IGBT For plasma display panel drive For high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)

Другие IGBT... APTGT75TDU120P, APTGT75X120BTP3, APTGT75X120E3, APTGT75X120TE3, APTLGF140U120T, APTLGF210U120T, APTLGF280U120T, APTLGF70U120T, FGH30S130P, FGW15N120H, FGW15N120HD, FGW15N120VD, FGW40N120H, FGW40N120HD, FGW40N120VD, FGW40N120W, FGW40N120WD