FGW85N60RB Todos los transistores

 

FGW85N60RB IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FGW85N60RB
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.45 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 85 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1150 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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FGW85N60RB PDF specs

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FGW85N60RB

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ FGW85N60RB Discrete IGBT Reverse Blocking IGBT 600V / 85A Features Reverse blocking characteristic for 1 chip by Fuji's original technology. High efficiency by applying to T-type 3 level inverter circuit. Applications Uninterruptible power supply Power conditioner Battery system Maximum Ratings and Characteristics Equivalent circu... See More ⇒

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History: RGTH00TS65

 

 
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