FGW85N60RB Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FGW85N60RB  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.45 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 85 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1150 pF

Encapsulados: TO247

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FGW85N60RB datasheet

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FGW85N60RB

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ FGW85N60RB Discrete IGBT Reverse Blocking IGBT 600V / 85A Features Reverse blocking characteristic for 1 chip by Fuji's original technology. High efficiency by applying to T-type 3 level inverter circuit. Applications Uninterruptible power supply Power conditioner Battery system Maximum Ratings and Characteristics Equivalent circu

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