Справочник IGBT. FGW85N60RB

 

FGW85N60RB Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGW85N60RB
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: 85G60RB
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.45 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 85 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1150 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 300 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для FGW85N60RB

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGW85N60RB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:532K  fuji
 fgw85n60rb.pdf pdf_icon

FGW85N60RB

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FGW85N60RB Discrete IGBTReverse Blocking IGBT600V / 85AFeaturesReverse blocking characteristic for 1 chip by Fuji's original technology.High efficiency by applying to T-type 3 level inverter circuit.ApplicationsUninterruptible power supplyPower conditionerBattery systemMaximum Ratings and Characteristics Equivalent circu

Другие IGBT... FGW35N60HC , FGW35N60HD , FGW50N60H , FGW50N60HC , FGW50N60HD , FGW50N60VD , FGW75N60H , FGW75N60HD , IRGP4063 , 1MBH60-100 , FGL40N120AN , BRG15N120D , BRG20N120D , BRG25N120D , SSIG15N135H , SSIG20N135H , BT25T120ANF .

History: FGW35N60HC

 

 
Back to Top

 


 
.