FGW85N60RB Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FGW85N60RB
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.45 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 85 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1150 pF
Тип корпуса: TO247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
FGW85N60RB Datasheet (PDF)
fgw85n60rb.pdf

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FGW85N60RB Discrete IGBTReverse Blocking IGBT600V / 85AFeaturesReverse blocking characteristic for 1 chip by Fuji's original technology.High efficiency by applying to T-type 3 level inverter circuit.ApplicationsUninterruptible power supplyPower conditionerBattery systemMaximum Ratings and Characteristics Equivalent circu
Другие IGBT... FGW35N60HC , FGW35N60HD , FGW50N60H , FGW50N60HC , FGW50N60HD , FGW50N60VD , FGW75N60H , FGW75N60HD , IHW15N120R3 , 1MBH60-100 , FGL40N120AN , BRG15N120D , BRG20N120D , BRG25N120D , SSIG15N135H , SSIG20N135H , BT25T120ANF .
History: MMGTU75J120U | RJP6085DPN-00 | SKB04N60 | IGW03N120H2 | STGW60H65DFB | IRGP4263 | TGAN60N65F2DR
History: MMGTU75J120U | RJP6085DPN-00 | SKB04N60 | IGW03N120H2 | STGW60H65DFB | IRGP4263 | TGAN60N65F2DR



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845