FGW85N60RB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: FGW85N60RB  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.45 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 85 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1150 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для FGW85N60RB

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGW85N60RB даташит

 ..1. Size:532K  fuji
 fgw85n60rb.pdf pdf_icon

FGW85N60RB

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ FGW85N60RB Discrete IGBT Reverse Blocking IGBT 600V / 85A Features Reverse blocking characteristic for 1 chip by Fuji's original technology. High efficiency by applying to T-type 3 level inverter circuit. Applications Uninterruptible power supply Power conditioner Battery system Maximum Ratings and Characteristics Equivalent circu

Другие IGBT... FGW35N60HC, FGW35N60HD, FGW50N60H, FGW50N60HC, FGW50N60HD, FGW50N60VD, FGW75N60H, FGW75N60HD, IRG4PF50W, 1MBH60-100, FGL40N120AN, BRG15N120D, BRG20N120D, BRG25N120D, SSIG15N135H, SSIG20N135H, BT25T120ANF