1MBH60-100 Todos los transistores

 

1MBH60-100 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 1MBH60-100
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 260 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2(max) V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Paquete / Cubierta: TO264
 

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History: CM1200HCB-34N | CM150DU-24NFH | MG100Q2YS50 | MMG40H120XB6TN | BSM150GB170DN2 | CM100TU-12F

 

 
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