1MBH60-100 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 1MBH60-100
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 260 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2(max) V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de 1MBH60-100 IGBT
1MBH60-100 Datasheet (PDF)
1mbh60-100.pdf
For more information, contact:Collmer Semiconductor, Inc.P.O. Box 702708Dallas, TX 75370972-233-1589972-233-0481 Faxhttp://www.collmer.com
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History: SGP07N120 | 1MBI1200U4C-170 | IRGB4045D | IXGX82N120B3 | AOTF15B65M1 | DGC20F65M2 | OST120N65H4UMF
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Liste
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