1MBH60-100 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: 1MBH60-100
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для 1MBH60-100

 

 

1MBH60-100 Datasheet (PDF)

Другие IGBT... FGW35N60HD , FGW50N60H , FGW50N60HC , FGW50N60HD , FGW50N60VD , FGW75N60H , FGW75N60HD , FGW85N60RB , SGT60U65FD1PT , FGL40N120AN , BRG15N120D , BRG20N120D , BRG25N120D , SSIG15N135H , SSIG20N135H , BT25T120ANF , BT15T120ANF .