BRG25N120D Todos los transistores

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BRG25N120D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRG25N120D

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 312

Tensión colector-emisor (Vce): 1200

Voltaje de saturación colector-emisor (Vcesat): 2.5

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 50

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 36

Capacitancia de salida (Cc), pF: 87

Empaquetado / Estuche: TO3P

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BRG25N120D
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BRG25N120D 绝缘栅双极晶体管/INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR 用途/Applications ◆ 逆变器/General purpose inverter ◆ 变频器/Frequency converters ◆ 电磁炉/Induction Heating(IH) ◆ 不间断电源/Uninterrupted Power Supply(UPS) 特点/Features ◆ 低栅极电荷/Low gate charge ◆ 正温度系数/Positive temperature coefficient ◆ 低饱和压降/Lo

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