BRG25N120D Todos los transistores

 

BRG25N120D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRG25N120D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 312 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 87 pF
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

BRG25N120D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:763K  blue-rocket-elect
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BRG25N120D

BRG25N120D Rev.D Oct.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features RoHS Low gate charge,, Low saturation voltage ,Positive temperature coefficient, RoHS product. / Applications

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BRG25N120D

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History: OST120N65HEMF | SGP15N120 | TGAN20N120FD | HIA20N140IH-DA | STGWT60H60DLFB | F3L30R06W1E3_B11

 

 
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